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SiC 和 GaN 的竞争

发布时间:2024-03-09
SiC 和 GaN 的竞争
 

自 2001 年左右以来,化合物半导体氮化镓引发了一场照明革命,这在某种程度上是人类历史上最快的技术革命。根据国际能源署的一项研究,在短短二十年内,基于氮化镓的发光二极管在全球照明市场的份额已从零增加到 50% 以上。研究公司 Mordor Intelligence 最近预测,LED 照明将在未来 7 年内将全球照明功耗降低 30% 至 40%。根据联合国环境规划署的数据,照明约占全球电力消耗的 20% 和二氧化碳排放量的 6%。
 




这场革命远未结束。确实,它即将跃升到一个更高的层次。氮化镓 (GaN) 是改变照明行业的半导体技术,也是即将起飞的电力电子革命的一部分。因为化合物半导体之一碳化硅 (SiC) 已经开始在电力电子这个庞大而重要的领域取代硅基电子产品。 GaN 和 SiC 器件的性能更好,效率也比它们所取代的硅元件更高。全球有数亿台此类设备,其中许多设备每天运行数小时,因此节能效果将非常可观。与 GaN LED 取代白炽灯和其他传统照明相比,GaN 和 SiC 电力电子器件的兴起最终将对地球气候产生更大的积极影响。 在几乎所有需要将交流电转换为直流电或将直流电转换为直流电的地方,都会减少电力浪费。这种转换发生在手机或笔记本电脑的壁式充电器、为电动汽车供电的大型充电器和逆变器以及其他地方。由于其他硅强项也进入新的半导体领域,因此将有类似的节省。无线基站放大器是这些新兴半导体明显具有优势的日益增长的应用之一。在缓解气候变化的努力中,消除电力消耗和浪费是一个方便的结果,而这些半导体就是我们收获电力的方式。 这是技术史上常见模式的一个新例子:同时实现两项相互竞争的创新。这一切将如何消除?SiC 将在哪些应用领域占据主导地位,GaN 将在哪些领域占据主导地位?仔细考察这两种半导体的比较优势,可以为我们提供一些可靠的线索。

 

氮化镓和碳化硅:它们的竞争领域


 

 

 

如今,SiC 在 EV 逆变器中占据主导地位,通常位于电压阻断和功率处理能力至关重要且频率较低的地方。GaN 是高频性能关键型应用(如 5G 和 6G 基站)以及雷达和高频电源转换应用(如壁式插头适配器、微型逆变器和电源)的首选技术。 但 GaN 和 SiC 之间的拉锯战才刚刚开始。无论竞争如何,一个应用程序、一个市场、一个市场,我们可以自信地说,地球环境将成为赢家。随着这一新的技术更新和振兴周期不可阻挡地向前发展,未来几年将避免数十亿吨的温室气体排放。


知明产能与供应链优势
 

  1. 先进的生产能力

    • 公司具备先进的氮化镓和碳化硅材料生产能力,能够满足市场对高质量材料的需求。通过不断的技术创新和工艺改进,公司能够持续提升生产效率和产品质量。
       

  2. 稳定的供应链

    • 公司与多家供应商建立了长期稳定的合作关系,确保了原材料的稳定供应。同时,公司也在积极扩大产能,以满足未来市场的需求增长。

       

 


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