SiC碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。
相比传统的硅材 料(Si)，碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。碳化硅原材料核心优势体现在:
1) 耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高 的效率;
2) 耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍)，适用于更高频率和更快的开关速度;
3) 耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。
知明碳化硅晶锭
从工艺流程上看;SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。
衬底经过外延生长得到外延片。
外延片经过光刻、刻蚀、离子注入、沉积等步骤制造成器件。
将晶圆切割成die，经过封装得到器件，器件组合在一起放入特殊外壳中组装成模组。
产业链包括上游是衬底和外延、中游是器件和模块制造，下游是终端应用。
碳化硅制成的功率器件根据电学性能差异分成两类。
广泛应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、5G通讯等领域。
按照电学性能的不同，碳化硅材料制成的器件分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅器件，两种类型碳化硅器件的终端应用领域不同。
导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成。
品种包括造肖特基二极管、 MOSFET、IGBT等，主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。 
半绝缘型碳化硅基射频器件是通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片后进一步制成，
包括HEMT等 氮化镓射频器件，主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。
针对不同应用领域的需求，知明科技计划开发一系列具有针对性的碳化硅衬底材料产品。
从基础的6英寸、8英寸衬底，到未来可能的更大尺寸衬底，以及针对不同掺杂浓度、不同晶体取向的定制化产品，我们力求实现产品线的全面覆盖，满足不同客户的特定需求。
知明6寸碳化硅衬底 4H-N型
在快速发展的半导体材料行业中，知明科技立志成为碳化硅（SiC）衬底材料领域的领航者。
我们深知，随着新能源汽车、5G通讯、高效能源转换系统等新兴产业的蓬勃兴起，对高性能、高可靠性半导体材料的需求日益增长。
因此，我们专注于碳化硅衬底材料的研发、生产与销售，致力于满足市场对更高效率、更高功率密度及更高工作温度半导体器件的迫切需求。我们期望与全球范围内的科研机构、上下游企业建立紧密的合作关系，共同推进碳化硅衬底材料技术的发展与应用。通过参加国际展会、建立海外销售网络等方式，加速产品国际化进程，成为全球客户信赖的合作伙伴。
知明碳化硅籽晶 4H
展望未来，知明科技将以碳化硅衬底材料为核心，通过技术创新、产品线拓展、绿色发展、全球合作以及人才培养等多维度策略，
致力于成为全球半导体材料行业中碳化硅衬底材料领域的佼佼者。我们相信，通过不懈努力，将为实现更加高效、绿色、智能的现代社会贡献力量。 
