半导体

半导体

  • 知明半导体材料——专业生产供应 4H-N/6H-N,4H/6H-P,SEMI,HPSI,3C 碳化硅衬底材料

    知明科技专注于碳化硅衬底材料研发、生产和销售的高科技企业。自成立以来,公司始终致力于推动半导体材料技术的创新与发展,为全球客户提供高品质的碳化硅衬底产品。

    SiC碳化硅衬底在半导体中的应用途径多种多样,不仅涵盖了功率半导体器件、射频器件等传统领域,还拓展到了光电子器件、智能电网、新能源汽车等新兴领域。随着技术的不断进步和市场的持续扩大,SiC碳化硅衬底的应用前景将更加广阔。

知明半导体材料——专业生产供应 4H-N/6H-N,4H/6H-P,SEMI,HPSI,3C 碳化硅衬底材料

知明核心产品之一的4H-N型碳化硅衬底,该产品具有优异的电学性能和高纯度,广泛应用于电力电子、射频通信、光电子等领域。4H-N型碳化硅衬底采用先进的生产工艺,包括原料制备、晶体生长、切割加工等关键步骤,确保产品具有高度的均匀性和稳定性。

 

知明碳化硅衬底生产

原料制备:

在半导体材料的生产过程中,原料的纯度是至关重要的。
为了确保最终产品的质量和性能,我们精选高纯度的原料作为起始点。
这些原料通常来源于经过严格筛选和提纯的矿物或化合物,以确保其化学成分的纯净和稳定。
在原料制备阶段,我们采用一系列严格的化学处理步骤来进一步提纯这些原料。
这些步骤可能包括溶解、沉淀、过滤、洗涤和干燥等,旨在去除任何可能存在的杂质和污染物。


晶体生长:

晶体生长是半导体材料生产中的核心环节之一。
我们采用国际领先水平的晶体生长技术,通过精确控制生长环境参数,如温度、压力、气氛和溶液浓度等,来确保晶体生长过程中的低缺陷率和高结晶质量。
在晶体生长过程中,我们利用先进的生长设备和工艺,如提拉法、坩埚下降法或气相外延法等,来引导和控制晶体的生长。
这些设备和工艺能够精确地控制晶体的生长速率、形状和尺寸,以及晶体的内部结构和缺陷分布。


切割加工:

我们采用高精度切割和加工设备来对晶体进行精细加工。
这些设备通常配备有先进的控制系统和传感器,能够精确地控制切割和加工过程中的各种参数,如切割速度、进给量和切削深度等。
通过精确控制这些参数,我们能够确保每一块衬底都符合客户要求的尺寸和表面平整度。
在切割加工过程中,我们还采用了一系列先进的工艺和技术来确保产品的质量和性能。
例如,我们可能采用化学机械抛光(CMP)技术来对衬底表面进行精细抛光,以去除任何可能存在的划痕、污染和缺陷。此外,我们还可能采用离子注入或激光刻蚀等技术来对衬底进行微加工或图案化处理,以满足客户的特殊需求。

 

 
知明碳化硅衬底参数

 
规格参数Property 2 inch 3inch 4inch 6inch 8inch
类型
Type
 
4H-N/HPSI/4H-SEMI,
6H-N/6H-SEMI;
4H-N/HPSI/4H-SEMI 4H-N/HPSI/4H-SEMI 4H-N/HPSI/4H-SEMI 4H-N/HPSI/4H-SEMI
直径
Diameter
50.8 ± 0.3 mm 76.2±0.3mm 100±0.3mm 150±0.3mm 200 ± 0.3 mm

厚度Thickness
 
 
330 ± 25 um 350 ±25 um 350 ±25 um 350 ±25 um 350 ±25 um
350±25um; 500±25um 500±25um 500±25um 500±25um
or customized or customized or customized or customized or customized
粗糙度Roughness Ra ≤ 0.2nm Ra ≤ 0.2nm Ra ≤ 0.2nm Ra ≤ 0.2nm Ra ≤ 0.2nm
翘曲度
Warp
≤ 30um ≤ 30um ≤ 30um ≤ 30um ≤45um
总厚度偏差TTV ≤ 10um ≤ 10um ≤ 10um ≤ 10um ≤ 10um
表面质Scratch/Dig CMP/MP
MPD <1ea/cm-2 <1ea/cm-2 <1ea/cm-2 <1ea/cm-2 <1ea/cm-2
形状
Shape
圆形, 带定位边
Round, Flat 16mm;OF length 22mm ;  OF Length 30/32.5mm;  OF Length47.5mm; NOTCH; NOTCH;
倒边
Bevel
45°, SEMI Spec; C Shape
级别
Grade
Production grade for MOS&SBD; Research grade ; Dummy grade ,Seed wafer Grade
备注
Remarks
直径,厚度,晶向,可定制
Diameter, Thickness, Orientation, specifications above can be customized upon your request
 
 


知明碳化硅衬底供应

知明专注于高端碳化硅(SiC)衬底材料的研发与生产,能够稳定供应多种类型的碳化硅衬底,以满足不同客户群体的多样化需求。
我们的产品线涵盖了4H-N型、6H-N型、4H/6H-P型、SEMI标准型、HPSI(高纯度单晶衬底)以及3C(立方碳化硅)等多种碳化硅衬底材料。
知明能够稳定供应多种类型的碳化硅衬底材料,以优质的产品和服务满足客户的多样化需求。我们期待与各界合作伙伴携手共进,共同推动碳化硅材料产业的发展。


知明碳化硅衬底 4H/6H-N型



 

知明碳化硅衬底 4H/6H-P型
 



知明碳化硅衬底 SEMI型
 



 

知明碳化硅衬底 3C型
 


 

市场与应用


知明科技的4H-N型碳化硅衬底产品已获得国内外众多客户的认可,广泛应用于以下领域:


 
电力电子:
用于制造高效率、高功率的电力电子器件,如IGBT、MOSFET等,显著提升电力系统的能效和可靠性。



射频通信:
在5G通信、雷达等射频器件中发挥重要作用,满足高频、高功率的应用需求。



光电子:
应用于LED、激光器等光电子器件,提高发光效率和器件寿命。

 


 

 

知明优势
 

  • 技术创新:知明科技持续加大研发投入,与多所高校和科研机构合作,不断突破技术瓶颈,推动产品性能的提升。
  • 品质保障:建立完善的质量管理体系,从原料采购到生产加工,每一个环节都严格把控产品质量。
  • 客户服务:以客户需求为导向,提供定制化产品和服务,快速响应客户反馈,为客户提供全方位的支持。

     

 
 

知明愿景


随着新能源汽车、可再生能源、5G通信等新兴产业的快速发展,对高性能碳化硅衬底材料的需求将持续增长。知明将继续秉持创新精神,加大技术研发投入,不断提升产品性能和生产效率,为全球客户提供更优质的产品和服务,助力半导体产业的蓬勃发展。